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FDS6982F011

更新时间： 2024-09-23 14:27:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 275K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6982F011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8.6 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6982F011 数据手册

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June 1999  
FDS6982  
Dual N-Channel, Notebook Power Supply MOSFET  
General Description  
Features  
This part is designed to replace two single SO-8 MOSFETs  
in synchronous DC:DC power supplies that provide the  
various peripheral voltage rails required in notebook  
computers and other battery powered electronic devices.  
FDS6982 contains two unique 30V, N-channel, logic level,  
PowerTrenchTM MOSFETs designed to maximize power  
conversion efficiency.  
• Q2: 8.6A, 30V. RDS(on) = 0.015 Ω @ VGS = 10V  
RDS(on) = 0.020 Ω @ VGS = 4.5V  
• Q1: 6.3A, 30V. RDS(on) = 0.028 Ω @ VGS = 10V  
RDS(on) = 0.035 Ω @ VGS = 4.5V  
• Fast switching speed.  
The high-side switch (Q1) is designed with specific  
emphasis on reducing switching losses while the low-side  
switch (Q2) is optimized for low conduction losses (less  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
than 20mΩ at VGS = 4.5V).  
Applications  
• Battery powered synchronous DC:DC converters.  
• Embedded DC:DC conversion.  
D1  
D1  
D2  
4
5
6
7
8
Q1  
Q2  
D2  
3
2
1
G1  
S1  
SO-8  
G2  
1
pin  
S2  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Q2  
Q1  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
20  
30  
20  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
±
±
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
8.6  
30  
6.3  
20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
(Note 1c)  
0.9  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
C/W  
C/W  
θJA  
θJC  
°
°
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS0010  
FDS0010  
13”  
12mm  
2500 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS6982, Rev. D  
1234567...12

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