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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDS6982AS_NF40
FDS6982AS_NF40 PDF预览

FDS6982AS_NF40

更新时间： 2024-09-23 04:18:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 581K
描述
Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDS6982AS_NF40 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.3Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.3 A最大漏极电流 (ID)：8.6 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS6982AS_NF40 数据手册

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December 2006  
tm  
FDS6982AS  
Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench® SyncFET™  
General Description  
Features  
The FDS6982AS is designed to replace two single SO-  
•
Q2:  
Optimized to minimize conduction losses  
Includes SyncFET Schottky body diode  
8
MOSFETs and Schottky diode in synchronous  
DC:DC power supplies that provide various peripheral  
voltages for notebook computers and other battery  
powered electronic devices. FDS6982AS contains two  
unique 30V, N-channel, logic level, PowerTrench  
MOSFETs designed to maximize power conversion  
efficiency. The high-side switch (Q1) is designed with  
specific emphasis on reducing switching losses while  
the low-side switch (Q2) is optimized to reduce  
conduction losses. Q2 also includes an integrated  
Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET  
technology.  
8.6A, 30V  
R
DS(on) max= 13.5mΩ @ VGS = 10V  
DS(on) max= 16.5mΩ @ VGS = 4.5V  
R
•
•
Low gate charge (21nC typical)  
Q1:  
Optimized for low switching losses  
6.3A, 30V  
R
DS(on) max= 28.0mΩ @ VGS = 10V  
DS(on) max= 35.0mΩ @ VGS = 4.5V  
R
Applications  
•
Low gate charge (11nC typical)  
• Notebook  
D1  
D1  
5
4
3
2
1
D2  
Q1  
6
D2  
7
Q2  
8
G1  
S1  
SO-8  
G2  
S2  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q2  
Q1  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
±20  
8.6  
30  
30  
±20  
6.3  
20  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
0.9  
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDS6982AS  
FDS6982AS  
FDS6982AS  
Device  
Reel Size  
13”  
Tape width  
12mm  
12mm  
Quantity  
FDS6982AS  
2500 units  
2500 units  
2500 units  
FDS6982AS_NL (Note 4)  
FDS6982AS_NF40 (Note 5)  
13”  
13”  
12mm  
FDS6982AS Rev B  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6982AS_NL FAIRCHILD

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