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FDS6961AZS62Z

更新时间： 2024-09-23 14:42:11

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	64K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.09ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6961AZS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDS6961AZS62Z 数据手册

September 2001

FDS6961AZ

Dual N-Channel Logic Level PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced

· 3.5 A, 30 V.

R_DS(ON)= 90 mW @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 140 mW @ V_GS= 4.5 V

using

Fairchild

Semiconductor’s

advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

· Low gate charge (2.1 nC typical)

· ESD protection diode (note 3)

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

· High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

· High power and current handling capability

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

3.5

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

1.6

0.9

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

R_qJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

2500 units

FDS6961AZ

13’’

12mm

Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation

FDS6961AZ Rev C (W)

12 3 4 5

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与FDS6961AZS62Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS6975	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6975	ONSEMI	获取价格	双 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-6A，32mΩ
FDS6975_NF073	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS6975D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS6975S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.032ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS6982	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel, Notebook Power Supply MOSFET
FDS6982_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6982AS	FAIRCHILD	获取价格	Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6982AS	ONSEMI	获取价格	双笔记本电源，N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V
FDS6982AS_06	FAIRCHILD	获取价格	Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET

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