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FDS6678AF011

更新时间： 2024-09-24 18:55:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 268K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0075A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6678AF011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：0.0075 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6678AF011 数据手册

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April 2001  
FDS6678A  
30V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
• 7.5 A, 30 V. RDS(ON) = 24 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 20 mΩ @ VGS = 10 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• Low gate charge (13 nC typical)  
• DC/DC converter  
• High power and current handling capability  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±12  
7.5  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
40  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
PD  
W
1.2  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6678A  
FDS6678A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6678A Rev C(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDS6678AF011相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6678AL86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0075A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDS6679 FAIRCHILD

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 		30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6679 ONSEMI

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FDS6679_05 FAIRCHILD

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 		P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -13A, 9mOhm
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 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-13A，9mΩ
FDS6679AZ UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDS6679AZ_08 FAIRCHILD

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 		P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDS6679D84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
FDS6679F011 FAIRCHILD

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