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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6672AS62Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FDS6673AZ | FAIRCHILD |
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30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6673BZ | FAIRCHILD |
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P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m Ohm |
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| FDS6673BZ | ONSEMI |
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P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，14.5A，7.8mΩ |
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| FDS6673BZ-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-14.5A，7.8mΩ |
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| FDS6675 | FAIRCHILD |
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Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDS6675 | ONSEMI |
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单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-11A，14m |
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| FDS6675 | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| FDS6675_07 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDS6675_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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