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FDS6672AF011

更新时间： 2024-11-12 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 255K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS6672AF011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：12.5 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS6672AF011 数据手册

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April 2001  
FDS6672A  
30V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
• 12.5 A, 30 V. RDS(ON) = 8 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• Low gate charge (33 nC typical)  
• DC/DC converter  
• High power and current handling capability  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±12  
12.5  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
50  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
PD  
W
1.2  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS6672A  
FDS6672A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS6672A Rev C(W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS6672AL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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FDS6673AZ FAIRCHILD

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 		单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-11A，14m
FDS6675 UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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