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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SO-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.16 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6672 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6672A | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6672A_01 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6672A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FDS6672AF011 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FDS6672AL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FDS6672AL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FDS6672AS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FDS6673AZ | FAIRCHILD |
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30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS6673BZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -14.5A, 7.8m Ohm |
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