5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6612A-NB5E029A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FDS6612A-NB5E029A | ONSEMI |
获取价格 |
单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，8.4A，22m |
|
| FDS6612A-OLDDIE | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FDS6612AS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDS6614A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
| FDS6614AF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDS6614AL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDS6614AL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDS6630 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDS6630A | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
