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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS6612AL86Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDS6612A-NB5E029A | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDS6612A-NB5E029A | ONSEMI |
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单 N 沟道，逻辑电平，Power Trench® MOSFET，30V，8.4A，22m |
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| FDS6612A-OLDDIE | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDS6612AS62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDS6614A | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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| FDS6614AF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDS6614AL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDS6614AL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDS6630 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
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