5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDR6674A_NL
FDR6674A_NL PDF预览

FDR6674A_NL

更新时间： 2024-11-21 20:11:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 101K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDR6674A_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A最大漏极电流 (ID)：11.5 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDR6674A_NL 数据手册

 浏览型号FDR6674A_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDR6674A_NL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDR6674A_NL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDR6674A_NL的Datasheet PDF文件第5页 
April 2001  
FDR6674A  
30V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
“low side” synchronous rectifier operation, providing an  
extremely low RDS(ON) in a small package.  
• 11.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 8.5 mΩ @ VGS = 10 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• High power and current handling capability in a  
smaller footprint than SO8  
• Synchronous rectifier  
• DC/DC converter  
S
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
S
G
D
D
SuperSOTTM -8  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±12  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
11.5  
50  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.8  
PD  
W
1.0  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
70  
20  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.6674A  
FDR6674A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDR6674A Rev D(W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

中文翻译

下载PDF

与FDR6674A_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDR6678A FAIRCHILD

获取价格

 		30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDR6678AD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDR70 FS

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
FDR70A FS

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
FDR70C FS

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
FDR70S FS

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
FDR751E FS

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
FDR751ET1G FS

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
FDR751ET3G FS

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
FDR8305 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

与FDR6674A_NL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证