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FDR6674A_NL

更新时间： 2024-09-16 20:11:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 101K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-8

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FDR6674A_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.5 A最大漏极电流 (ID)：11.5 A
最大漏源导通电阻：0.008 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDR6674A_NL 数据手册

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April 2001  
FDR6674A  
30V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
“low side” synchronous rectifier operation, providing an  
extremely low RDS(ON) in a small package.  
• 11.5 A, 30 V. RDS(ON) = 9.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 8.5 mΩ @ VGS = 10 V  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
• High power and current handling capability in a  
smaller footprint than SO8  
• Synchronous rectifier  
• DC/DC converter  
S
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
S
G
D
D
SuperSOTTM -8  
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±12  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
11.5  
50  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.8  
PD  
W
1.0  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
70  
20  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.6674A  
FDR6674A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDR6674A Rev D(W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDR6678A FAIRCHILD

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 		30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDR6678AD84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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