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FDN8601

更新时间： 2023-09-03 20:33:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 314K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，2.7A，109mΩ

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FDN8601 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A最大漏极电流 (ID)：2.7 A
最大漏源导通电阻：0.109 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDN8601 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
r
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(on)  
20 V  
109 mW @ 10 V  
175 mW @ 6 V  
2.7 A  
100 V, 2.7 A, 109 mW  
FDN8601  
General Description  
This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
POWERTRENCH process that has been optimized for r  
switching performance and ruggedness.  
,
DS(on)  
SOT−23/SUPERSOTt−23, 3 LEAD, 1.4x2.9  
CASE 527AG  
Features  
• Max r  
• Max r  
= 109 mW at V = 10 V, I = 1.5 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
MARKING DIAGRAM  
8601M  
= 175 mW at V = 6 V, I = 1.2 A  
GS  
D
• High Performance Trench Technology for Extremely Low r  
DS(on)  
• High Power and Current Handling Capability in a Widely Used  
Surface Mount Package  
8601 = Specific Device Code  
• Fast Switching Speed  
M
= Date Code  
• 100% UIL Tested  
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
Applications  
PIN ASSIGNMENT  
• Primary DC−DC Switch  
• Load Switch  
D
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
100  
20  
G
S
Gate to Source Voltage  
Continuous (Note 1a)  
Pulsed  
V
I
D
2.7  
A
12  
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
13  
mJ  
W
AS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
P
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.5  
D
0.6  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to 150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Note 1)  
75  
°C/W  
q
JC  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
80  
°C/W  
q
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
December, 2022 − Rev. 3  
FDN8601/D  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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