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FDMC7200

更新时间： 2024-09-16 11:15:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 348K
描述
双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，12mΩ 和 23.5mΩ

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FDMC7200 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：23 weeks风险等级：1.55
外壳连接：DRAIN SOURCE配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.0235 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：30 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.2 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC7200 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
POWERTRENCH)  
D1  
D1  
D1  
Pin 1  
G1  
D1  
D2/S1  
V
IN  
30 V, 12 mW and 23.5 mW  
V
IN  
S2  
V
IN  
S2  
S2  
G
HS  
V
G2  
IN  
FDMC7200  
SWITCH  
NODE  
Bottom  
General Description  
GND  
GND  
This device includes two specialized N−Channel MOSFETs in a  
dual Power 33 (3 mm x 3 mm MLP) package. The switch node has  
been internally connected to enable easy placement and routing of  
synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and  
synchronous MOSFET (Q2) have been designed to provide optimal  
power efficiency.  
GND  
G
LS  
Bottom  
WDFN8 3x3, 0.65P  
(Power 33)  
CASE 511DE  
MARKING DIAGRAM  
Features  
• Q1: N−Channel  
♦ Max R  
♦ Max R  
= 23.5 mW at V = 10 V, I = 6 A  
GS D  
DS(on)  
&Z&2&K  
FDMC  
7200  
= 38 mW at V = 4.5 V, I = 5 A  
DS(on)  
GS  
D
• Q2: N−Channel  
♦ Max R  
♦ Max R  
= 12 mW at V = 10 V, I = 8 A  
GS D  
DS(on)  
= 18 mW at V = 4.5 V, I = 7 A  
DS(on)  
GS  
D
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
&Z  
&2  
&K  
= Assembly Plant Code  
= 2−Digit Date−Code  
= 2−Digit Lot Code  
Applications  
• Mobile Computing  
• Mobile Internet Devices  
• General Purpose Point of Load  
FDMC7200 = Device Code  
PIN ASSIGNMENT  
Q2  
S2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D1  
D1  
G1  
S2  
S2  
G2  
Q1  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
WDFN8  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
FDMC7200  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
April, 2023 − Rev. 4  
FDMC7200/D  
1234567...11

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与FDMC7200相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC7200S ONSEMI

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 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，22mΩ，10mΩ
FDMC7208S ONSEMI

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