是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.55 |
雪崩能效等级(Eas): | 1434 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 193 A |
最大漏极电流 (ID): | 120 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0032 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-262AA |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 231 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 772 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDI038AN06A0 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.8mз | |
FDI038AN06A0 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V,80A,3.8mΩ | |
FDI038AN06A0_10 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 3.8m | |
FDI038AN06A0_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDI038N06 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 168A, 4.0m | |
FDI040N06 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 168A, 4.0m | |
FDI045N10A | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 164 A, | |
FDI045N10A-F102 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,164A,4.5mΩ | |
FDI047AN08A0 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз | |
FDI100 | DEC |
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1 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |