是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | FL8,.39,150/100 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
特性阻抗: | 50 Ω | 最大变频损耗: | 17 dB |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 端子数量: | 8 |
最大工作频率: | 500 MHz | 最小工作频率: | 5 MHz |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装等效代码: | FL8,.39,150/100 |
射频/微波设备类型: | FREQUENCY DOUBLER | 子类别: | RF/Microwave Frequency Multipliers |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDF5680 | FAIRCHILD |
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60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET | |
FDF60BA | SANREX |
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Bridge Rectifier Diode, 60A, 600V V(RRM), | |
FDF60BA50 | SANREX |
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DIODE MODULE F.R.D | |
FDF60BA60 | SANREX |
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DIODE MODULE F.R.D | |
FDFC2P100 | FAIRCHILD |
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Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V, -3A, 150mohm | |
FDFC3N108 | FAIRCHILD |
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N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode | |
FDFC3N108_05 | FAIRCHILD |
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N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode | |
FDFC3N108_07 | FAIRCHILD |
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N-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode | |
FDFC3N108_NL | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
FDFD1-1878 | ETC |
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Insulated Crimp Terminals Metric |