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FDD306P_NL

更新时间： 2024-11-24 20:09:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 500K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 12V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE PACKAGE-3

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FDD306P_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (ID)：6.7 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：54 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDD306P_NL 数据手册

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January 2005  
FDD306P  
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET  
Features  
Applications  
■ –6.7 A, –12 V.  
R
R
R
= 28 mΩ @ V = –4.5 V  
■ DC/DC converter  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
= 41 mΩ @ V = –2.5 V  
GS  
= 90 mΩ @ V = –1.8 V  
General Description  
This P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchild’s  
advanced low voltage PowerTrench process. It has been opti-  
mized for battery power management.  
GS  
■ Fast switching speed  
■ High performance trench technology for extremely  
low R  
DS(ON)  
■ High power and current handling capability  
S
D
G
G
S
TO-252  
D
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
–12  
V
V
A
DSS  
V
8
–6.7  
GSS  
I
Drain Current  
– Continuous  
– Pulsed  
(Note 3)  
(Note 1a)  
(Note 1)  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
D
–54  
P
Power Dissipation for Single Operation  
52  
W
D
3.8  
1.6  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
J
STG  
Thermal Characteristics  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1)  
2.9  
40  
96  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDD306P  
FDD306P  
13’’  
12mm  
2500 units  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD306P Rev. C  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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与FDD306P_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDD330003 DIODES

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 		Oscillator, 1MHz Min, 133MHz Max, 133.33MHz Nom,
FDD3510H FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET N-Channel: 80V, 13.9A, 80mOHM P-Channel: -80V, -9.4A
FDD3510H ONSEMI

获取价格

 		双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET，80V
FDD3570 FAIRCHILD

获取价格

 		80V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3570_0011 FAIRCHILD

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 		80V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3570_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 80V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDD3580 FAIRCHILD

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 		80V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3670 FAIRCHILD

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 		100V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3670 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，34A，32mΩ
FDD3670_01 FAIRCHILD

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 		100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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