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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDC6036P
FDC6036P PDF预览

FDC6036P

更新时间： 2024-09-13 22:40:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 165K
描述
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

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FDC6036P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, FLMP, SUPERSOT-6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.79Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.044 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDC6036P 数据手册

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January 2004  
FDC6036P  
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This dual P-Channel 1.8V specified MOSFET uses  
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.  
Packaged in FLMP SSOT-6, the RDS(ON) and thermal  
properties of the device are optimized for battery power  
management applications.  
• –5 A, –20 V. RDS(ON) = 44 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = –2.5 V  
RDS(ON) = 95 mΩ @ VGS = –1.8 V  
• Low gate charge, High Power and Current handling  
capability  
Applications  
• Battery management/Charger Application  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• Load switch  
• FLMP SSOT-6 package: Enhanced thermal  
performance in industry-standard package size  
Bottom Drain Contact  
4
5
6
3
2
1
Bottom Drain Contact  
MOSFET Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
–20  
V
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
±8  
–5  
–20  
(Note 1a)  
A
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
1.8  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.8  
0.9  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
68  
1
RθJA  
RθJC  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
.036  
FDC6036P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDC6036P Rev C2 (W)  
2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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FDC6036P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDC6036P_F077 FAIRCHILD

类似代替

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