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FDBL86066-F085

更新时间： 2024-09-14 11:15:47

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		PC
页数	文件大小	规格书
8页	502K
描述
N 沟道 PowerTrench® MOSFET，100 V，240 A，4.1 mΩ

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FDBL86066-F085 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.55	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	1374068
Samacsys Pin Count：	9	Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：	Other	Samacsys Footprint Name：	H?PSOF8L 11.68x9.80 CASE 100CU ISSUE O
Samacsys Released Date：	2018-12-11 14:21:30	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

FDBL86066-F085 数据手册

FDBL86066-F085

N‐Channel POWERTRENCH⁾

MOSFET

100 V, 240 A, 4.1 mW

Features

www.onsemi.com

• Typical R

• Typical Q

= 3.3 mW at V = 10 V, I = 80 A

GS D

DS(on)

= 47 nC at V = 10 V, I = 80 A

g(tot)

MAX

I MAX

• UIS Capability

DSS

DS(ON)

• Qualified to AEC Q101

100 V

4.1 mW @ 10 V

240 A

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Applications

• Automotive Engine Control

• PowerTrain Management

• Solenoid and Motor Drivers

• Electrical Power Steering

• Integrated Starter/Alternator

• Distributed Power Architectures and VRM

• Primary Switch for 12 V Systems

N-CHANNEL MOSFET

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Value

100

Unit

DSS

H−PSOF8L

CASE 100CU

Drain Current − Continuous,

185

(V = 10 V) T = 25°C (Note 1)

MARKING DIAGRAM

Pulsed Drain Current, T = 25°C

(See Figure 4)

93.6

Single Pulse Avalanche Energy

(Note 2)

Power Dissipation

300

W/°C

°C

$Y&Z&3&K

FDBL

86066

Derate Above 25°C

T , T

Operating and Storage

Temperature

−55 to +175

STG

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

1. Current is limited by silicon.

= ON Semiconductor Logo

= Assembly Plant Code

= Numeric Date Code

= Lot Code

2. Starting T = 25°C, L = 30 mH, I = −79 A, V = 100 V during inductor

charging and V = 0 V during time in avalanche.

FDBL86066

= Specific Device Code

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 7 of

this data sheet.

Publication Order Number:

January, 2018 − Rev. 2

FDBL86066−F085/D

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FDBL86363-F085	ONSEMI	获取价格	80 V、240 A、2.0 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench®
FDBL86366-F085	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，220A，3.0mΩ
FDBL86561-F085	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，300A，1.1mΩ
FDBL86563-F085	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，240A，1.5mΩ
FDBL86566-F085	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，240A，2.4mΩ
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FDBL9401-F085T6	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 0.67 mΩ
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