5秒后页面跳转
FDBL0630N150 PDF预览

FDBL0630N150

更新时间: 2024-09-14 11:12:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 606K
描述
N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,169A,6.3mΩ

FDBL0630N150 数据手册

 浏览型号FDBL0630N150的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDBL0630N150的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDBL0630N150的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDBL0630N150的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDBL0630N150的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDBL0630N150的Datasheet PDF文件第7页 
FDBL0630N150  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
150 V, 169 A, 6.3 mW  
ꢀ  
www.onsemi.cn  
ꢀꢁꢂꢃ r  
Typ Q  
= 5 mW (V = 10 VI = 80 A)  
GS D  
DS(on)  
= 70 nC V = 10 VI = 80 A  
g(tot)  
GS  
D
V
r
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
UIS ꢅꢆ  
150 V  
6.3 mW @ 10 V  
169 A  
This Device is PbFree and is RoHS Compliant  
ၴ✈  
D
ꢀꢇꢈꢉꢊꢋꢌꢍ  
ꢀꢇꢈꢉꢎ  
ꢀꢇꢈꢏꢌꢐ  
ꢀꢉꢌꢇꢑ  
ꢀꢉꢒꢓꢔ  
G
S
ꢀꢕꢖꢅꢗꢘꢍ  
UPS ꢙꢅꢎꢗꢘꢍ  
ꢀꢚꢅ  
MOSFET — NChannel  
ꢀꢛꢜꢝꢞ  
°
ꢁꢂ(T = 25 C, ꢀꢁꢂꢃꢄ)  
J
ꢅ  
VDSS  
VGS  
ꢆꢇ  
ꢃꢄ  
150  
ꢈꢉ  
V
ꢅꢆ-⁰ꢆꢇꢁ  
᧥ꢆ-⁰ꢆꢇꢁ  
HPSOF8L 11.68x9.80  
CASE 100CU  
20  
V
I
D
169  
A
ꢅꢆꢇἡ-᪮ঽ (V = 10 V) (1)  
GS  
°
MARKING DIAGRAM  
T
= 25 C  
C
°
ꢅꢇἡ  
T
C
= 25 C  
3  
502  
EAS  
↺༉்Ჟ (2)  
૧  
mJ  
W
$Y&Z&3&K  
FDBL  
0630N150  
P
D
500  
°
°
ᡕ᪗ 25 C ៖ℝ⍭  
3.3  
W/ C  
°
T , T  
ꢆꢇꢈႆ  
55 to +175  
J
STG  
C
°
C/W  
R
ণೃ૓Ŕ⋍ℋ  
0.3  
43  
q
JC  
JA  
$Y  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Date Code  
°
C/W  
R
ণೃ▏੣⋍ℋᣠଇ(3)  
q
&Z  
&3  
&K  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
(ꢉᚡᝧ)  
= Lot Run Traceability Code  
FDBL0630N150 = Specific Device Code  
ୢ᥼ꢇᡕ᪗ᣠଇ⍭ൺꢌꢍꢎŔꢐꢑꢒꢔ。ୢ᥼ᡕ᪗Ûĵ  
{,෦ៀẵƽꢐꢑꢅ்,ොೄꢐꢑ,ᅑ
ڭ
∰ሇ。  
1. ꢇἡַАণꢈŔ℠Ж。  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6 of  
this data sheet.  
2. ꢇዿ̥ꢇ᣿⃄,ᡇ஫ T = 25°C, L = 0.24 mH, I = 64 A, V = 100 V,↺༉  
J
AS  
DD  
៖⃄ͥV = 100 V  
DD  
ؙnণೃ૓ꢉꢇೃ▏੣⋍ℋ+ꢇ͖ꢌ,૓ꢉൺ)ꢕꢅꢆ  
ჵ௪Ŕ⋪᝹൩᎕ጸ∲R  
̾ൺᵄ૤Ŕᣠଇ⍭ൺn൩᎕2 oz ᾬŔ 1 in ⋪ƨ⛺。  
3. R  
q
JA  
͗ꢊᚎᙱƽᚑ,͖ꢌꢖR ꢋ✈ᐗŔꢇᢿᥟᚎᙱ  
q
JA  
θ
JC  
2
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
June, 2019 Rev. 3  
FDBL0630N150CN/D  
 

与FDBL0630N150相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDBL86062-F085 ONSEMI

获取价格

N沟道,PowerTrench®MOSFET,100V,300A,2.0mΩ
FDBL86063 ONSEMI

获取价格

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 240A, 2.
FDBL86063-F085 ONSEMI

获取价格

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,240A,2.6mΩ
FDBL86066-F085 ONSEMI

获取价格

N 沟道 PowerTrench® MOSFET,100 V,240 A,4.1 mΩ
FDBL86210-F085 ONSEMI

获取价格

150 V、169 A、5 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench®
FDBL86361-F085 ONSEMI

获取价格

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,300A,1.4mΩ
FDBL86363-F085 ONSEMI

获取价格

80 V、240 A、2.0 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench®
FDBL86366-F085 ONSEMI

获取价格

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,220A,3.0mΩ
FDBL86561-F085 ONSEMI

获取价格

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,300A,1.1mΩ
FDBL86563-F085 ONSEMI

获取价格

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,240A,1.5mΩ