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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 1.52 | 雪崩能效等级（Eas）： | 352 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 300 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 300 A | 最大漏源导通电阻： | 0.002 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 41 pF |
| JEDEC-95代码： | MO-299A | JESD-30 代码： | R-PSSO-F2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 429 W | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 59 ns | 最大开启时间（吨）： | 73 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDBL0210N80 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET，80V，240A，2.0mΩ |
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| FDBL0240N100 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET，100V，210A，2.8mΩ |
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| FDBL0260N100 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，200A，2.6mΩ |
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| FDBL0330N80 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，220A，3.0mΩ |
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| FDBL0630N150 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，169A，6.3mΩ |
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| FDBL86062-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N沟道，PowerTrench®MOSFET，100V，300A，2.0mΩ |
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| FDBL86063 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 240A, 2. |
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| FDBL86063-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，240A，2.6mΩ |
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| FDBL86066-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET，100 V，240 A，4.1 mΩ |
|
| FDBL86210-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
150 V、169 A、5 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench® |
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