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FDA62N28_NL

更新时间： 2024-09-30 13:07:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 698K
描述
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 280V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-3PN, 3 PIN

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FDA62N28_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PN
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76雪崩能效等级（Eas）：1919 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：280 V
最大漏极电流 (ID)：62 A最大漏源导通电阻：0.051 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：248 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDA62N28_NL 数据手册

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TM  
UniFET  
FDA62N28  
280V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
62A, 280V, R  
Low gate charge ( typical 77 nC)  
= 0.051Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low C ( typical 83 pF)  
rss  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
G
!
"
!
S
TO-3P  
FDA Series  
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDA62N28  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
280  
V
DSS  
I
- Continuous (T = 25°C)  
62  
37  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
(Note 1)  
(Note 2)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
248  
±30  
1919  
62  
A
V
DM  
V
E
Gate-Source voltage  
GSS  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
I
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
50  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
500  
4
W
W/°C  
D
C
- Derate above 25°C  
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.25  
--  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
--  
0.24  
--  
θJC  
θCS  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
40  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDA62N28 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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