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FD868-12

更新时间： 2024-09-17 03:36:23

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富士电机 - FUJI		二极管高压
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE

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FD868-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.84	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	HIGH VOLTAGE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	120 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	120 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

FD868-12 数据手册

(120V / 4.0A )

FD868-12

HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE

Outline drawings, mm

Type name, Voltage class,

Lot No.

Cathode Mark

28min

7.5±0.2

Features

High voltage

Molding resin : Epoxy resin UL:V-0

Low VF

Super high speed switching

High reliability by planer design

Marking

868-12

Applications

High speed switching

Cathode mark

Type name

Voltage class

Lot No. (Month)

Lot No. (Year)

Marking color : Silver

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings (Tc=25°C Unless otherwise specified )

Symbol

V^RRM

IFAV

Conditions

Item

Rating

Unit

120

Repetitive peak reverse voltage

Average forward current

Square wave duty=1/2

Tl=106°C

4.0

Sine wave 10ms,

1shot

IFSM

Non-repetitive forward surge current

Operating junction temperature

Storage temperature

120

150

°C

Tstg

-40 to +150

Electrical characteristics (Tc=25°C Unless otherwise specified )

Item

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Unit

Max.

0.88

150

Conditions

I^FM=4.0A

V^F

VR=VRRM

μA

Mechanical characteristics

Approximate mass

1.2

http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FD868-15	FUJI	获取价格	HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE
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