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FD600R17KF6CB2NOSA1

更新时间： 2024-11-21 20:10:43

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英飞凌 - INFINEON		栅
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描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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FD600R17KF6CB2NOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FD600R17KF6CB2NOSA1 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FD600R17KF6C_B2

IHM-AꢀModulꢀmitꢀlowꢀlossꢀIGBT2ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

IHM-AꢀmoduleꢀwithꢀlowꢀlossꢀIGBT2ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀDiodeꢀ

初步数据

PreliminaryꢀData

IGBT,ꢀ制动-斩波器ꢀ/ꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

集电极－发射极电压

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1700

V_CES

ꢀ

连续集电极直流电流

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_vj= 150°C

T_C= 25°C, T_vj= 150°C

I_{C nom}

I_C

600

975

集电极重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

1200

4,80

总损耗

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_vj= 150°C

ꢀ kW

栅极－发射极峰值电压

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/- 20

ꢀ

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

集电极－发射极饱和电压

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 600 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,60 3,10

3,10 3,60

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

栅极阈值电压

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 40,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

7,20

1,6

6,5

µC

Ω

栅极电荷

Gateꢀcharge

ꢀ

内部栅极电阻

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

输入电容

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

40,0

2,00

反向传输电容

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

集电极-发射极截止电流

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

0,015 1,2 mA

栅极-发射极漏电流

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

开通延迟时间(电感负载)

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,30

ꢀ

µs

上升时间(电感负载)

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,17

µs

t_r

t_{d off}

t_f

关断延迟时间(电感负载)

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,10

µs

下降时间(电感负载)

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 600 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,11

0,12

µs

开通损耗ꢀ(每脉冲)

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 600 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

270

220

关断损耗ꢀ(每脉冲）

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 600 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

短路数据

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

I_SC

ꢀ

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

2400

结－壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

R_thJC

R_thCH

ꢀ

26,0 K/kW

K/kW

壳－散热器热阻

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

24,0

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-05-17

revision:ꢀ2.4

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