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FD300R12KE3

更新时间: 2024-11-27 14:52:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 斩波器双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 166K
描述
62 mm 1200V 300A 斩波器 IGBT 模块, 是您设计工作的不二之选。

FD300R12KE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数:5
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.11外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):480 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码:R-XUFM-X5
元件数量:1端子数量:5
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):830 ns标称接通时间 (ton):400 ns
Base Number Matches:1

FD300R12KE3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FD300R12KE3  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Elektrische Eigenschaften / electrical properties  
Kollektor Emitter Sperrspannung  
collector emitter voltage  
Tvj= 25°C  
VCES  
1200  
V
300  
480  
A
A
Kollektor Dauergleichstrom  
DC collector current  
Tc= 80°C  
Tc= 25°C  
IC, nom  
IC  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tp= 1ms, Tc= 80°C  
ICRM  
600  
1470  
+/- 20  
300  
600  
19  
A
W
Gesamt Verlustleistung  
total power dissipation  
Tc= 25°C, Transistor  
Ptot  
Gate Emitter Spitzenspannung  
gate emitter peak voltage  
VGES  
V
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
tp= 1ms  
IFRM  
A
Grenzlastintegral  
I²t value  
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C  
RMS, f= 50Hz, t= 1min.  
I²t  
k A²s  
kV  
Isolations Prüfspannung  
insulation test voltage  
VISOL  
2,5  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Transistor Wechselrichter / transistor inverter  
min.  
-
typ.  
1,7  
2,0  
max.  
2,15  
-
IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 25°C  
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung  
VCEsat  
VGE(th)  
QG  
collector emitter saturation voltage  
IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 125°C  
-
Gate Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
IC= 12mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C  
5,0  
5,80  
2,80  
21  
6,50  
V
Gateladung  
gate charge  
VGE= -15V...+15V  
µC  
nF  
nF  
mA  
nA  
-
-
-
-
-
-
-
Eingangskapazität  
input capacitance  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V  
Cies  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Cres  
0,85  
-
-
Kollektor Emitter Reststrom  
V
CE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C  
CE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C  
ICES  
5
collector emitter cut off current  
Gate Emitter Reststrom  
gate emitter leakage current  
V
IGES  
-
400  
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer  
approved: SM TM; Wilhelm Rusche  
date of publication: 2002-10-02  
revision: 3.0  
DB_FD300R12KE3_3.0  
2002-10-02  
1 (8)  

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D Subminiature Connector, 104 Contact(s), Male, Solder Terminal,