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FD16U20CT

更新时间： 2024-11-26 17:00:59
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深爱 - SISEMIC 功效
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3页 183K
描述
抗高浪性能 高功效 低正向电压 大电流 低功耗 符合RoHS规范

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FD16U20CT 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
快恢复二极管/Fast Recovery Diode  
FD16U20CT  
特点：  
Features  
■超快反向恢复 trr = 20ns  
■软恢复特性  
■低正向压降  
■低存储电荷  
■低漏电流  
■Ultrafast Recovery trr = 20ns  
■Soft Recovery Characteristics  
■Low Forward Voltage  
■Low stored Charge  
■Low Leakage Current  
应用：  
Applications  
■续流、整流、箝位  
■缓冲二极管  
■Freewheeling, Snubber,Clamp  
■Snubber Diode  
■开关电源、功率开关电路  
■电机控制  
■Switch Power Supplies  
■Motor control  
■逆变器、变频器  
■Inverters,Converters  
●最大额定值（TJ=25C，另有说明除外）  
TO-220  
TO-220  
●Absolute Maximum Ratings（TJ=25C，unless otherwise specified）  
符号  
参数  
额定值  
单位  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
可重复反向峰值电压  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
连续正向电流（ TJ=100  
VRRM  
IF(AV)  
IFRM  
200  
16  
V
A
A
℃
）
Diode Continuous Forward Current ( TJ=100  
℃)  
可重复峰值浪涌电流（20kHz 方波）  
Repetitive Peak Surge Current (20kHz Square Wave)  
32  
单个二极管不重复峰值浪涌电流（单相半波50Hz）  
IFSM  
80  
A
Nonrepetitive Peak Surge Current for Per Diode (Halfwave 1  
Phase 50Hz)  
工作结温  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
℃
℃
Operating Junction Temperature Range  
存储温度  
Storage Temperature Range  
TSTG  
●电特性（TJ=25C，另有说明除外）  
●Electronic Characteristics（TJ = 25 ℃ unless otherwise specified for Per Diode）  
符号  
参数名称  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
反向电压  
200  
VR  
IR = 50µA  
Cathode to Anode Breakdown Voltage  
V
IF=8A TJ=25  
℃
0.91  
0.77  
0.98  
正向压降  
Diode Forward Voltage  
VF  
V
IF=8A TJ=125  
℃
0.88  
µ
A
V
R
R
=200V TJ=25  
℃
10  
50  
最大反向漏电流  
Maximum Reverse Leakage Current  
IRM  
µ
A
V
=200V TJ=125  
℃
Si semiconductors 2016.9  
1
123

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 		RF Transformer, 2400MHz Min, 2500MHz Max, 1:1
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 		Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 176MHz Nom, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, SMD, 4 PIN
FD-176.000M-BBD00030 FOX

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