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FD16F20CT

更新时间: 2024-11-10 17:01:07
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深爱 - SISEMIC 功效
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4页 223K
描述
抗高浪性能 高功效 低正向电压 大电流 低功耗 符合RoHS规范

FD16F20CT 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
产品规格书  
Product Specification  
快恢复二极管/Fast Recovery Diode  
FD16F20CT  
●特点:抗高浪涌性能 低正向电 大电流 低损耗 超快恢复特性 符合 RoHS 规范  
FEATURESHIGH SURGE CAPABILITY LOW FORWARD VOLTAGE ■HIGH CURRENT CAPABILITY  
Low Recovery Loss  
■Ultrafast Recovery Time ■RoHS COMPLIANT  
●应用:续流电流 超声波清洗和焊接 PFC UPS  
APPLICATION: FREE WHEELING  
Ultrasonic Cleaner and Welder PFC UPS  
●最大额定值(Tc=25°C  
°
Absolute Maximum RatingsTc=25 C)  
TO-220/220FP  
参数  
符号  
额定值  
单位  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
反向电压(DC)  
V
VR  
200  
D.C. Reverse Voltage  
可重复反向电压  
VRRM  
200  
V
A
Repetitive Reverse Voltage  
8
平均输出电流  
Average Forward Current  
@TC=110°C,  
(单侧管脚/per leg)  
IF(AV)  
16  
FD16F20CT  
FD16F20CT  
(整管/Per Device)  
不重复正向浪涌电流  
Non-Repetitive Surge Forward  
IFSM  
80  
A
@T=10ms,Sine  
Current  
结温  
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
Junction Temperature  
贮存温度  
Tstg  
Storage Temperature  
●电特性(Tc=25°C)  
Electronic CharacteristicsTc=25°C)  
符号  
最小值  
最大值  
参数名称  
测试条件  
典型值  
单位  
Symbol  
Min.  
Max.  
Parameter  
Test Conditions  
Typ.  
Unit  
反向漏电流  
Reverse Leakage  
Current  
°
µ
A
VR=200V, TJ=25 C  
--  
--  
--  
--  
10  
IRM  
VR=200V, TJ=125°C  
IF=8A, TJ=25°C  
200  
µA  
--  
--  
0.9  
1.1  
--  
V
V
正向压降  
Forward Voltage  
VF  
trr  
°
IF=8A, TJ=125 C  
0.86  
反向恢复时间  
Reverse Recovery  
Time  
IF=1A, VR=30V,  
diF/dt=-200A/μs  
20  
25  
30  
ns  
Reverse Recovery  
Time  
Reverse Recovery  
Time  
trr  
trr  
TJ=25°C  
--  
--  
42  
58  
--  
--  
ns  
ns  
IF=8A  
VR=100V  
diF/dt=-200A/  
μs  
°
TJ=125 C  
最大反向恢复电流  
Max. Reverse  
°
IRRM  
TJ=125 C  
--  
5
--  
A
Recovery Current  
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
订货编码/ORDERING CODE  
包装形式/PACKING  
普通塑封料/ Normal Package Material  
无卤塑封料/Halogen Free  
TO-220 条管/TUBE PACKING  
TO-220FP 条管/TUBE PACKING  
FD16F20CT TO-220-TU  
FD16F20CT TO-220-TU-HF  
FD16F20CT TO-220FP-TU  
FD16F20CT TO-220FP-TU-HF  
Si semiconductors 2013.1  
1

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