FCX458

更新时间： 2024-11-24 22:31:47

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号双极晶体管开关高压局域网
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描述
NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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FCX458 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.27	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.225 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

FCX458 数据手册

SOT89 NPN SILICON PLANAR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FCX458

ISSUE 3 – OCTOBER 1995

FEATURES

400 Volt V_CEO

P_tot= 1 Watt

COMPLEMENTARY TYPE –

PARTMARKING DETAIL –

FCX558

N58

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

400

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

400

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Pe ak Pu ls e Cu rren t

225

I_CM

500

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

T_j:T_{s tg}

-65 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN.

V_(BR)CBO400

V_{CEO(s u s )}400

MAX.

UNIT

CONDITIONS .

Bre akd o w n Vo ltag es

I_C=100µA

I_C=10m A*

V_(BR)EBO

I_E=100µA

Co lle cto r Cu t-Off Cu rre n ts

Em itte r Cu t-Off Cu rren t

I_CBO

I_CES

100

n A

V_CB=320V

V_CE=320V

I_EBO

100

n A

V_EB=4V

Em itte r S a tu ra tio n Vo lta g e s V_{CE(s a t)}

0.2

0.5

I_C=20m A, I_B=2m A*

I_C=50m A, I_B=6m A*

V_{BE(s a t)}

V_{BE(o n )}

0.9

I_C=50m A, I_B=5m A*

I_C=50m A, V_CE=10V*

Bas e -Em itte r

Tu rn On Vo lta g e

S ta tic Fo rw a rd Cu rren t

Tra n s fe r Ra tio

h_FE

100

I_C=1m A, V_CE=10V

I_C=50m A, V_CE=10V*

I_C=100m A, V_CE=10V**

300

Tra n s itio n Fre q u e n cy

f_T

MHz

p F

I_C=10m A, V_CE=20V

f=20MHz

Co lle cto r-Ba s e

C_{o b o}

V_CB=20V, f=1MHz

Bre akd o w n Vo ltag e

S w itch in g tim e s

t_{o n}

t_{o ff}

135 Typ ica l

2260 Typ ical

n s

I_C=50m A, V_C=100V

I_B1=5m A, I_B2=-10m A

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

Spice param eter data is available upon request for this device

For typical characteristics graphs see FMMT458 datasheet

3 - 85

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FCX458TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.225A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-
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