是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.66 | Is Samacsys: | N |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.3 V |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
最大非重复峰值正向电流: | 120 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 10 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压: | 300 V |
最大反向电流: | 25 µA | 最大反向恢复时间: | 0.033 µs |
反向测试电压: | 300 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FCU20UC30L-TA3-T | UTC |
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SILICON DIODE | |
FCU20UC30L-TF1-T | UTC |
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SILICON DIODE | |
FCU20UC30L-TF3-T | UTC |
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SILICON DIODE | |
FCU20UC40 | THINKISEMI |
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20.0 Ampere Insulated Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers | |
FCU20UC50 | THINKISEMI |
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20.0 Ampere Insulated Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers | |
FCU20UC60 | THINKISEMI |
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20.0 Ampere Insulated Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers | |
FCU2250N80Z | ONSEMI |
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N 沟道 SuperFET® II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 Ω | |
FCU3400N80Z | ONSEMI |
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N 沟道 SuperFET® II MOSFET | |
FCU360N65S3R0 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,Easy Drive,650 V | |
FCU4300N80Z | ONSEMI |
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N 沟道 SuperFET® II MOSFET 800 V, 1.6 A, 4.3 Ω |