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FCQ10A04

更新时间： 2024-02-26 23:57:37

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NIEC		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
6页	58K
描述
Schottky Barrier Diode

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FCQ10A04 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.75
其他特性：	LOW POWER LOSS	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	120 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向电流：	5000 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

FCQ10A04 数据手册

SBD T y p e : FCQ10A04

FEATURES

OUTLINE DRAWING

*Similar to TO-220AB Case

*Fully Molded Isolation

*Dual Diodes – Cathode Common

*Low Forward Voltage Drop

*Low Power Loss,High Efficiency

*High Surge Capability

*Tj=150 °C operation

*Wire-Bonded technology

Maximum Ratings

Approx Net Weight: 1.75g

FCQ10A04

Rating

Symbol

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Non-repetitive Peak Reverse Voltage

V_RRM

V_RSM

50 Hz Full Sine Wave

Resistive Load

Average Rectified Output Current

RMS Forward Current

I_O

Tc=116°C

I_F(RMS)

I_FSM

11.1

50Hz Full Sine Wave ,1cycle

Non-repetitive

Surge Forward Current

120

Operating JunctionTemperature Range

Storage Temperature Range

Mounting torque

T_jw

T_stg

Ftor

-40 to +150

recommended torque = 0.5

°C

N•m

Electrical • Thermal Characteristics

Characteristics

Peak Reverse Current

Symbol

I_RM

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Tj= 25°C, V_RM= V_RRM

per arm

Tj= 25°C, I_FM= 5 A

per arm

Peak Forward Voltage

Thermal Resistance

V_FM

0.55

Rth(j-c) Junction to Case

Rth(c-f) Cace to Fin

°C /W

1.5 °C /W

12 3 4 5 6

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