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FCP190N60E

更新时间： 2024-11-26 12:23:35
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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描述
600V N-Channel MOSFET

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FCP190N60E 数据手册

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March 2012  
SuperFET® II  
FCP190N60E / FCPF190N60E  
600V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
650V @TJ = 150°C  
SuperFET®II is, Fairchild’s proprietary, new generation of high  
voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge  
balance mechanism for outstanding low on-resistance and lower  
gate charge performance.  
Max. RDS(on) = 190mΩ  
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 63nC)  
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss.eff = 178pF)  
100% Avalanche Tested  
This advanced technology has been tailored to minimize  
conduction loss, provide superior switching performance, and  
withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy.  
Consequently, SuperFET®II is very suitable for various AC/DC  
power conversion in switching mode operation for system  
miniaturization and higher efficiency.  
D
G
TO-220  
TO-220F  
G D  
S
G D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FCP190N60E FCPF190N60E Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
600  
±20  
±30  
V
V
V
- DC  
VGSS  
ID  
- AC  
(f > 1Hz)  
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
20.6  
13.1  
61.8  
20.6*  
13.1*  
61.8*  
Drain Current  
A
IDM  
EAS  
IAR  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
400  
4.0  
2.1  
20  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
MOSFET dv/dt  
mJ  
dv/dt  
PD  
V/ns  
100  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
208  
39  
W
W/oC  
oC  
Power Dissipation  
1.67  
0.31  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Units  
FCP190N60E FCPF190N60E  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.6  
0.5  
3.2  
0.5  
Thermal Resistance, Case to Heat Sink (Typical)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
oC/W  
62.5  
62.5  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FCP190N60E / FCPF190N60E Rev. C4  
1
www.fairchildsemi.com  
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