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FCP190N60-GF102

更新时间： 2024-11-24 11:13:07

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安森美 - ONSEMI		/
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描述
N 沟道 SuperFET® II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ

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FCP190N60-GF102 数据手册

FCP190N60-GF102

N 沟道SuperFET II MOSFET

600 V, 20.2 A, 199 mΩ

特性

•

说明

SuperFET^®II MOSFET 是飞兆半导体新一代利用电荷平衡技术

实现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结 (SJ)

MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越

的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET

MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务

器/ 电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

650 V @ T_J= 150°C

• 典型值R_DS(on)= 170 m

• 超低栅极电荷（典型值Q_g= 57 nC)

• 低有效输出电容（典型值C_oss(eff.)= 160 pF)

•

100% 经过雪崩测试

• 符合RoHS 标准

应用

•

LCD / LED / PDP 电视照明

• 太阳能逆变器

AC-DC 电源

•

TO-220

绝对最大额定值 T_C= 25°C 除非另有说明。

FCP190N60-GF102

符号

参数

- DC

单位

V_DSS

V_GSS

600

±20

漏极－源极电压

栅极－源极电压

- AC

(f > 1 Hz)

±30

- 连续(T_C= 25°C)

- 连续(T_C= 100°C)

- 脉冲

20.2

12.7

60.6

400

I_D

漏极电流

I_DM

E_AS

I_AR

（说明1）

（说明2）

（说明1）

漏极电流

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

4.0

E_AR

2.1

重复雪崩能量

MOSFET dv/dt

二极管恢复dv/dt 峰值

100

dv/dt

P_D

V/ns

（说明3）

(T_C= 25°C)

208

W/°C

°C

功耗

- 降低至25°C 以上

1.67

-55 至+150

300

T_J, T_STG

T_L

工作和存储温度范围

°C

用于焊接的最大引线温度，距离外壳1/8"，持续5 秒

热性能

FCP190N60-GF102

符号

R_JC

参数

结至外壳热阻最大值

单位

0.6

°C/W

R_JA

62.5

结至环境热阻最大值

December-2017, Rev. 3

Publication Order Number:

FCP190N60-GF102CN/D

12 3 4 5 6 7 8

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