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FCP13N60N PDF预览

FCP13N60N

更新时间： 2024-11-23 06:58:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 900K
描述
N-Channel MOSFET 600V, 13A, 0.258Ω

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FCP13N60N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：235 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：13 A
最大漏极电流 (ID)：13 A最大漏源导通电阻：0.258 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：116 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：39 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FCP13N60N 数据手册

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August 2009  
TM  
SupreMOS  
FCP13N60N / FCPF13N60NT  
N-Channel MOSFET  
600V, 13A, 0.258Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
RDS(on) = 0.244Ω ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 6.5A  
Ultra Low Gate Charge ( Typ.Qg = 30.4nC)  
Low Effective Output Capacitance  
100% Avalanche Tested  
The SupreMOS MOSFET, Fairchild’s next generation of high  
voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling  
process that differentiates it from preceding multi-epi based  
technologies. By utilizing this advanced technology and precise  
process control, SupreMOS provides world class Rsp, superior  
switching performance and ruggedness.  
This SupreMOS MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS  
requirements for PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX  
power, and industrial power applications.  
RoHS Compliant  
D
G
TO-220  
FCP Series  
TO-220F  
FCPF Series  
G D S  
G D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FCP13N60N FCPF13N60NT  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
600  
±30  
V
V
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
13  
8.2  
39  
13*  
8.2*  
39  
ID  
Drain Current  
A
IDM  
EAS  
IAR  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
A
mJ  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
235  
4.3  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energy  
MOSFET dv/dt Ruggedness  
Peak Diode Recovery dv/dt  
1.16  
100  
20  
mJ  
V/ns  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
dv/dt  
PD  
(Note 3)  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
116  
33.8  
0.27  
Power Dissipation  
0.93  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
FCP13N60N FCPF13N60NT Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.07  
0.5  
3.7  
0.5  
Thermal Resistance, Case to Heak Sink ( Typical)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
oC/W  
62.5  
62.5  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FCP13N60N / FCPF13N60NT Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
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