FCH76N60N

更新时间： 2024-09-17 10:31:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-Channel MOSFET

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FCH76N60N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	4.44
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	8022 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	76 A	最大漏极电流 (ID)：	76 A
最大漏源导通电阻：	0.036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	543 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	228 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FCH76N60N 数据手册

December 2011

SupreMOS^TM

FCH76N60N

N-Channel MOSFET

600V, 76A, 36mΩ

Features

Description

•

650V @TJ = 150^oC

The SupreMOS MOSFET, Fairchild’s next generation of high

voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling

process that differentiates it from preceding multi-epi based

technologies. By utilizing this advanced technology and precise

process control, SupreMOS provides world class Rsp, superior

switching performance and ruggedness.

This SupreMOS MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS

requirements for PFC, server/telecom power, FPD TV power,

ATX power, and industrial power applications.

_DS(on)= 28mΩ ( Typ.)@ V_GS= 10V, I_D= 38A

Ultra Low Gate Charge ( Typ.Q_g= 218nC)

Low Effective Output Capacitance

100% Avalanche Tested

RoHS Compliant

TO-247

MOSFET Maximum Ratings T_C= 25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

Parameter

Ratings

600

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

±30

-Continuous (T_C= 25^oC)

-Continuous (T_C= 100^oC)

- Pulsed

I_D

Drain Current

48.1

I_DM

E_AS

I_AR

Drain Current

(Note 1)

(Note 2)

228

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

8022

25.3

E_AR

Repetitive Avalanche Energy

MOSFET dv/dt Ruggedness

Peak Diode Recovery dv/dt

5.43

100

dv/dt

P_D

V/ns

(Note 3)

(T_C= 25^oC)

- Derate above 25^oC

543

W/^oC

^oC

Power Dissipation

4.34

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,

1/8” from Case for 5 Seconds

300

^oC

*Drain current limited by maximum junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Thermal Resistance, Junction to Case

Ratings

0.23

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Thermal Resistance, Case to Heat Sink (Typical)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

0.24

^oC/W

FCH76N60N Rev. C1

www.fairchildsemi.com

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