FCH47N60NF

更新时间： 2024-09-17 12:20:31

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N-Channel MOSFET, FRFET

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FCH47N60NF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	2926 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45.8 A	最大漏极电流 (ID)：	45.8 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	368 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	137.4 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FCH47N60NF 数据手册

January 2011

SupreMOS

FCH47N60NF

N-Channel MOSFET, FRFET

600V, 47A, 65mΩ

Features

Description

•

R_DS(on)= 57.5mΩ (Typ.) @ V_GS= 10V, I_D= 23.5A

Ultra Low Gate Charge (Typ. Q_g= 121nC)

Low Effective Output Capacitance

100% Avalanche Tested

The SupreMOS MOSFET, Fairchild’s next generation of high

voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling

process that differentiates it from preceding multi-epi based

technologies. By utilizing this advanced technology and precise

process control, SupreMOS provides world class Rsp, superior

switching performance and ruggedness.

This SupreMOS MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS

requirements for PFC, server/telecom power, FPD TV power,

ATX power, and industrial power applications.

RoHS Compliant

TO-247

MOSFET Maximum Ratings T_C= 25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

V_GSS

Parameter

Ratings

600

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

±30

-Continuous (T_C= 25^oC)

-Continuous (T_C= 100^oC)

- Pulsed

45.8

I_D

Drain Current

28.9

I_DM

E_AS

I_AR

Drain Current

(Note 1)

(Note 2)

137.4

2926

15.3

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

Repetitive Avalanche Energy

MOSFET dv/dt Ruggedness

Peak Diode Recovery dv/dt

3.7

100

V/ns

W/^oC

^oC

dv/dt

P_D

(Note 3)

(T_C= 25^oC)

- Derate above 25^oC

368

Power Dissipation

2.94

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,

1/8” from Case for 5 Seconds

300

^oC

*Drain current limited by maximum junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Thermal Resistance, Junction to Case

Ratings

0.34

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Thermal Resistance, Case to Heat Sink (Typical)

Thermal Resistance, Junction to Ambient

0.24

^oC/W

FCH47N60NF Rev. A1

www.fairchildsemi.com

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