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FCA76N60N

更新时间： 2024-11-06 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网 PC 开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1550K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，SUPREMOS®，FAST，600 V，76 A，36 mΩ，TO-3P

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FCA76N60N 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.55
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	166913	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	Integrated Circuit	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	to-3+	Samacsys Released Date：	2020-01-26 18:45:50
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	8022 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	76 A
最大漏极电流 (ID)：	76 A	最大漏源导通电阻：	0.036 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	543 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	228 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FCA76N60N 数据手册

2017 Sept

FCA76N60N

N 沟道 SupreMOS MOSFET

600 V, 76 A, 36 mΩ

特性

说明

SupreMOS^®MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结（SJ）

技术，该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工

艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on-

resistance （导通电阻规格），卓越的开关性能和耐用性。

SupreMOS MOSFET 产品非常适合高频开关电源转换器应用，

如功率因数校正 (PFC)、服务器 / 电信电源、平板电视电源、ATX

电源及工业电源应用。

•

R_DS(on)= 28 mΩ (Typ.) @V_GS= 10 V, I_D= 38 A

超低栅极电荷（典型值 Q_g= 218 nC)

低有效输出电容（典型值 C_oss(eff.)= 914 pF)

100% 经过雪崩测试

符合 RoHS 标准

应用

•

太阳能逆变器

•

AC-DC 电源

TO-3PN

MOSFET 最大额定值 T_C= 25^oC 除非另有说明。

FCA76N60N

600

符号

V_DSS

V_GSS

参数

单位

漏极－源极电压

栅极－源极电压

±30

- 连续 (T_C= 25^oC)

- 连续 (T_C= 100^oC)

- 脉冲

I_D

漏极电流

48.1

I_DM

E_AS

I_AR

228

漏极电流

（注 1）

（注 2）

（注 1）

（注 3）

8022

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

E_AR

5.40

重复雪崩能量

100

MOSFET dv/dt 耐用性

二极管恢复 dv/dt 峰值

dv/dt

P_D

V/ns

(T_C= 25^oC)

- 超过 25^oC 时降额

543

W/^oC

^oC

功耗

5.40

T_J, T_STG

T_L

-55 to +150

300

工作和存储温度范围

^oC

用于焊接的最大引脚温度，距离外壳 1/8”，持续 5 秒

热性能

FCA76N60N

符号

R_θJC

参数

结至外壳热阻最大值

单位

0.23

^oC/W

R_θJA

结至环境热阻最大值

www.onsemi.com

FCA76N60N Rev. 1

12 3 4 5 6 7 8

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