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FCA75CC50

更新时间： 2024-09-15 03:36:19
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描述
MOSFET MODULE

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FCA75CC50 数据手册

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MOSFET MODULE  
FCA50CC50  
UL;E76102（M）  
FCA50CC50 is a dual power MOSFET module designed for fast swiching applications  
of high voltage and current.（2 devices are serial connected with a fast recovery diode  
（trr  
）reverse connected across each MOSFET.） The mounting base of the  
≦100ns  
107.5±0.6  
93±0.3  
module is electrically isolated from semiconductor elements for simple heatsink  
construction.  
3ｰM5  
2・φ6.5  
●
D
DSS  
I ＝50A, V ＝500V  
● Suitable for high speed switching applications.  
● Low ON resistance.  
● Wide Safe Operating Areas.  
●
1
2
3
23  
23  
TAB=110（T0.5）�  
rr  
t ≦100ns fast recovery diode for free wheel.  
（Applications）  
UPS（CVCF）, Motor Control, Switching Power Supply, etc.  
NAME PLATE  
i G2  
u S2  
D2 S1  
q
S2  
w
D1  
S1  
e
y
t G1  
Unit：  
A
■Maximum Ratings  
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Item  
Conditions  
FCA50CC50  
DSS  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
500  
±20  
V
V
GSS  
V
D
I
DC  
Duty 55%  
Tc＝25℃  
50  
Drain  
Current  
A
DP  
I
Pulse  
100  
D
-I  
Source Current  
50  
A
W
℃
℃
V
T
P
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
330  
Tj  
－40 to ＋150  
－40 to ＋125  
2500  
Tstg  
ISO  
V
A.C. 1minute  
Isolation Voltage（R.M.S.）  
Mounting（M6） Recommended Value 2.5  
-
3.9（25  
2.5（15  
-
-
40）  
25）  
4.7（48）  
2.7（28）  
240  
Mounting  
Torque  
N･m  
（kgf･B）  
Terminal（M5） Recommended Value 1.5  
-
Mass  
Typical Value  
g
■Electrical Charactistics  
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Item  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
±1.0  
1.0  
GSS  
I
Gate Leakage Current  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
A
μ
V
V
V
V
＝±20V，V ＝0V  
DSS  
I
Zero Gate Voltage Drain Current  
Darin-Source Breakdown Voltage  
Gate-Source Threshold Voltage  
Drain-Source On-State Resistance  
Drain-Source On-State Voltage  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
DS  
mA  
V
＝0V，V ＝500V  
（BR）DSS  
V
D
500  
1.0  
＝0V，I ＝1mA  
GS（th）  
V
GS  
D
5.0  
140  
3.5  
V
＝V ，I ＝10mA  
DS（on）  
R
D
GS  
I ＝25A，V ＝15V  
mΩ  
V
DS（on）  
V
D
GS  
I ＝25A，V ＝15V  
gfs  
Ciss  
Coss  
Crss  
td（on）  
tr  
DS  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
V
D
30  
S
＝10V，I ＝25A  
DS  
10000  
1900  
750  
pF  
pF  
pF  
＝0V，V ＝25V，f＝1.0MHz  
Output Capacitance  
DS  
＝0V，V ＝25V，f＝1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-on Delay Time  
DS  
＝0V，V ＝25V，f＝1.0MHz  
60  
100  
520  
140  
Rise Time  
Switching  
Time  
DD  
GS  
V
＝300V，V ＝15V  
ns  
D
G
I ＝25A，R ＝5Ω  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
td（off）  
tf  
SDS  
V
Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
S
GS  
2.0  
100  
V
I ＝25A，V ＝0V  
trr  
S
GS  
80  
ns  
I ＝25A，V ＝－5V，di/dt＝100A/μs  
MOSFET  
Diode  
0.38  
1.67  
Thermal Resistance  
Rth（j-c）  
℃/W  
1
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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