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FCA47N60-F109

更新时间： 2024-11-26 11:14:59

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描述
N 沟道 SuperFET® MOSFET 600V, 47A, 70mΩ

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FCA47N60-F109 数据手册

2017 年9 月

FCA47N60

N 沟道SuperFET MOSFET

600 V, 47 A, 70 mΩ

特性

•

描述

SuperFET^®MOSFET 是飞兆半导体第一代利用电荷平衡技术实

现出色低导通电阻和更低栅极电荷性能的高压超级结

(SJ)MOSFET 系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供

卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFET

MOSFET 非常适用于开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服

务器/ 电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用等。

650 V @ T_J= 150°C

• 典型值R_DS(on)= 58 mΩ

• 超低栅极电荷（典型值Q_g= 210 nC)

• 低有效输出电容（典型值C_oss(eff.)= 420 pF)

•

100% 经过雪崩测试

应用

• 太阳能逆变器

•

AC-DC 电源

TO-3PN

绝对最大额定值

FCA47N60

FCA47N60_F109

600

符号

参数

单位

V_DSS

I_D

漏极－源极电压

漏极电流

29.7

- 连续(T_C= 25°C)

- 连续(T_C= 100°C)

I_DM

漏极电流

- 脉冲

（注1）

141

± 30

1800

V_GSS

E_AS

I_AR

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

（注2）

（注1）

（注3）

E_AR

dv/dt

P_D

41.7

4.5

V/ns

重复雪崩能量

二极管恢复dv/dt 峰值

功耗

(T_C= 25°C)

417

3.33

W/°C

- 高于25°C 的功耗系数

_J,T_STG

°C

工作和存储温度范围

-55 至+150

T_L

300

用于焊接的最大引脚温度，距离外壳1/8”，持续5 秒

热性能

符号

R_θJC

参数

结至外壳热阻最大值

典型值

最大值

单位

0.3

°C/W

R_θJA

41.7

结至环境热阻最大值

www.fairchildsemi.com

FCA47N60 / FCA47N60_F109 Rev. 1

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