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FB10R06KL4

更新时间: 2024-09-24 20:09:23
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页数 文件大小 规格书
12页 232K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17

FB10R06KL4 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17针数:17
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.6外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):16 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X17元件数量:6
端子数量:17最高工作温度:175 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):55 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):260 ns
标称接通时间 (ton):60 nsVCEsat-Max:2.55 V
Base Number Matches:1

FB10R06KL4 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FB10R06KL4  
Vorläufig  
Preliminary  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
Tvj =25°C  
VRRM  
800  
23  
V
A
repetitive peak reverse voltage  
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip  
RMS forward current per chip  
TC =80°C  
IFRMSM  
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
TC =80°C  
IRMSmax  
IFSM  
51  
A
maximum RMS current at Rectifier output  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
197  
158  
194  
125  
A
A
I2t  
A2s  
A2s  
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
Tvj =25°C  
VCES  
600  
V
TC =80°C  
TC = 25 °C  
IC,nom.  
IC  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
10  
15  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms,  
TC = 25°C  
Tc=80°C  
ICRM  
Ptot  
20  
55  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
10  
20  
12  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
tP = 1 ms  
IFRM  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
I2t  
A2s  
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C  
prepared by: Thomas Passe  
approved by: Ingo Graf  
date of publication: 2002-02-13  
revision: 7  
1(11)  

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