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FAQ0048

更新时间： 2024-09-25 14:57:35
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雅特力 - ARTERY 闪存
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5页 301K
描述
AT32F4xx内部闪存页擦除注意事项

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擦除页大小不同的内部 FLASH 注意事项  
FAQ0048  
常见问题解答  
擦除页大小不同的内部FLASH注意事项  
Questions：擦除页大小不同的内部 FLASH 有何注意事项？  
Answer：  
AT32F4 全系列内部 FLASH 大小为 256K 及以上的闪存扇区大小是 2K，内部 FLASH 大小小于 256K 的闪  
存扇区大小是 1K，在擦除时有所区别：  
1. 擦除闪存扇区步骤：解锁闪存->擦除闪存扇区->锁定闪存  
2. 擦除闪存扇区起始地址（Page_Address）及页内的任何地址都可以将该页擦除  
3. 擦除位于 512K 之内的闪存扇区，是操作寄存器 FLASH->CTRL/FLASH->ADDR；擦除位于 512K 及以  
外的闪存扇区，是操作寄存器 FLASH->CTRL2/FLASH->ADDR2  
4. 将闪存扇区大小是 1K 的擦除代码移植到闪存扇区大小是 2K 时，若连续擦除多个闪存扇区，需要将起  
始地址递增长度改为 2K（0x800）。如果起始地址递增长度还是 1K（0x400），那么一个 2K 的闪存扇区  
将会被擦除两次。例如，在 IAP 升级 APP 时，一般操作是擦除 1 页，写 1 页。如果页大小 2K 还是按  
页大小 1K 的擦除代码操作，比如擦除起始地址是 0x08001000 的闪存扇区，第一次会将该页擦除，写  
入 1K 数据后，第二次擦除长度只增加 1K，写入的起始地址是 0x08001400，那么还是会将该页擦除，  
将上一次写入的 1K 数据擦除  
5. 将闪存扇区大小是 2K 的擦除代码移植到闪存扇区大小是 1K 时，若连续擦除多个闪存扇区，需要将起  
始地址递增长度改为 1K（0x400）。如果起始地址递增长度还是 2K（0x800），那么每隔一页将会有一页  
被漏擦除。例如，在 IAP 升级 APP 时，一般操作是擦除 1 页，写 1 页。如果闪存扇区大小 1K 还是按  
闪存扇区大小 2K 的擦除代码操作，比如擦除起始地址是 0x08001000 的页，将该页 1K 空间擦除，但  
写入 2K 数据，那么起始地址是 0x08001400 的页在没有被擦除就写入数据，会导致写入的数据错误  
由于上述原因，在使用 AT32F413/AT32F415 系列 FLASH 小于 256K 的型号时，需要特别注意 BSP 程序  
基于该系列最大资源设计（FLASH 大小 256K），直接编译下载可能会造成下载失败或不全片擦除无法二次  
下载等问题。  
此时处理方法如下：  
1. 参考 BSP document 路径下《AT32F4xx 固件库 BSP&Pack 应用指南》在 Options 下 Device 修改对应  
AT32 芯片型号及 FLASH 算法文件  
2. 在 Options 下 C/C++预处理 Preprocessor Symbols 的 Define 修改对应芯片型号  
3. 如果使用的是 FLASH 读写例程，还需要注意在 flash.c/flash.h 文件中修改对应 SECTOR_SIZE 大小  
2022.2.16  
第 1 页  
版本 2.0.0  
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