2N6790

更新时间： 2024-01-09 16:05:44

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power

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2N6790 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
其他特性：	RADIATION HARDENED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MILITARY STANDARD (USA)	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6790 数据手册

2N6790

Data Sheet

December 2001

3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power

MOSFET

Features

• 3.5A, 200V

The 2N6790 is an N-Channel enhancement mode silicon

gate power MOS ﬁeld effect transistor designed for

applications such as switching regulators, switching

converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high

power bipolar switching transistors requiring high speed and

low gate drive power. This device can be operated directly

from an integrated circuit.

• r = 0.800Ω

DS(ON)

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

• Majority Carrier Device

Ordering Information

• Related Literature

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

2N6790

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

2N6790

TO-205AF

NOTE: When ordering, include the entire part number.

Symbol

Packaging

JEDEC TO-205AF

DRAIN

(CASE)

SOURCE

GATE

2N6790 Rev. B

12 3 4 5 6 7

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