是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.8 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 25 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6766 | IXYS | High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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2N6766 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 30A, 150V/200V |
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2N6766 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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2N6766 | INFINEON | 200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - A 2N6766 with Hermetic Packagi |
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2N6766 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE |
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2N6766BX5 | NJSEMI | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE |
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