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2N6756

更新时间: 2024-01-10 20:41:57
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 141K
描述
N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V

2N6756 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.09其他特性:RADIATION HARDENED
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.18 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N6756 数据手册

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