是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.09 | 其他特性: | RADIATION HARDENED |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 14 A |
最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-204AA | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6757 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 9A, 150V/200V |
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2N6757 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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2N6758 | FAIRCHILD | N-Channel Power MOSFETs, 9A, 150V/200V |
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2N6758 | MICROSEMI | N-CHANNEL MOSFET |
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2N6758 | RENESAS | 9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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2N6758TX | RENESAS | 9A, 200V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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