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FA4F4Z-A PDF预览

FA4F4Z-A

更新时间： 2024-11-08 21:22:39
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC ISM频段光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
22页 411K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-59, 3 PIN

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FA4F4Z-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-59包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.36其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：135
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FA4F4Z-A 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
FA4xxx  
RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR  
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)  
FEATURES  
• Compact package  
• Resistors built-in type  
• Complementary to FN4xxx  
+ꢀ.1  
ꢀ.4  
–ꢀ.ꢀ5  
+ꢀ.1  
ꢀ.16  
–ꢀ.ꢀ6  
Marking  
ꢀ to ꢀ.1  
3
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
PACKAGE  
SC-59  
2
1
FA4xxx  
+ꢀ.1  
ꢀ.3  
ꢀ.4  
–ꢀ.ꢀ5  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
1.1 to 1.4  
ꢀ.95  
2.9 ꢀ.2  
ꢀ.95  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current (DC)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
60  
50  
V
V
EQUIVALENT CIRCUIT  
PIN CONNECTION  
1: Emitter  
<R>  
Note1  
0.1  
V
A
3
Collector Current (pulse) Note2 IC(pulse)  
0.2  
A
2: Base  
2
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
Tj  
0.2  
W
°C  
°C  
3: Collector  
150  
R
1
Tstg  
–55 to +150  
R
2
1
Note 1.  
<R>  
PART NUMBER  
VEBO  
(V)  
MARK  
R1  
R2  
PART NUMBER  
VEBO  
(V)  
MARK  
R1  
R2  
(kΩ)  
(kΩ)  
(kΩ)  
(kΩ)  
FA4A4M  
FA4F4M  
FA4L4M  
FA4L3M  
FA4L3N  
FA4L3Z  
FA4A3Q  
FA4A4P  
FA4F4N  
10  
10  
10  
10  
5
AA1  
AB1  
AC1  
AD1  
AE1  
AF1  
AG1  
AH1  
AJ1  
10.0  
22.0  
47.0  
4.7  
10.0  
22.0  
47.0  
4.7  
FA4L4L  
FA4A4Z  
FA4F4Z  
FA4L4Z  
FA4F3M  
FA4F3P  
FA4F3R  
FA4A4L  
FA4L4K  
15  
5
AK1  
AL1  
AM1  
AN1  
AP1  
AQ1  
AR1  
AS1  
AT1  
47.0  
10.0  
22.0  
47.0  
2.2  
22.0  
5
5
4.7  
10.0  
10  
5
2.2  
10.0  
47.0  
4.7  
5
4.7  
2.2  
5
1.0  
10.0  
47.0  
47.0  
5
2.2  
5
10.0  
22.0  
15  
25  
10.0  
47.0  
5
10.0  
Note 2. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. D16493EJ3V0DS00 (3rd edition)  
Date Published December 2005 NS CP(K)  
Printed in Japan  
2002  
The mark <R> shows major revised points.  
The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FA4F4Z-AT NEC

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59
FA4F4Z-L-AT RENESAS

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59
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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-59
FA4L3M NEC

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 		RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR
FA4L3M RENESAS

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 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-59, 3 PIN
FA4L3M-A NEC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-59,

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