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FA01384

更新时间: 2024-11-23 22:31:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
7页 187K
描述
GaAs FET HYBRID IC

FA01384 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:LCC8,.3SQ,78Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:26 dB最大输入功率 (CW):10 dBm
JESD-609代码:e0安装特点:SURFACE MOUNT
功能数量:1端子数量:8
最大工作频率:1910 MHz最小工作频率:1850 MHz
最高工作温度:95 °C最低工作温度:-30 °C
封装主体材料:CERAMIC封装等效代码:LCC8,.3SQ,78
电源:3.2 V射频/微波设备类型:NARROW BAND MEDIUM POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers表面贴装:YES
技术:HYBRID端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压驻波比:2Base Number Matches:1

FA01384 数据手册

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