FA01219A

更新时间： 2024-11-08 22:31:39

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三菱 - MITSUBISHI		射频和微波射频放大器微波放大器高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	27K
描述
GaAs FET HYBRID IC

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FA01219A 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	MODULE
增益：	22.5 dB	最大输入功率 (CW)：	8 dBm
最大工作频率：	958 MHz	最小工作频率：	925 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER	Base Number Matches：	1

FA01219A 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR GaAs FET

FA01219A

GaAs FET HYBRID IC

DESCRIPTION

FA01219A is RF Hybrid IC designed for 0.8GHz band

Unit:mm

small size handheld radio.

GND

FEATURES

• Low voltage

3.5V

• High gain

22.5B

50%

• High efficiency

• High power

30.5dBm

APPLICATION

PDC0.8GHz

GND

10.0

0.8

2.0

6.0

RF INPUT

VD1

RF OUTPUT

GND

VD2

VG1,2

tolerance:±0.2

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Ratings

Condition

Po£30.5dBm

ZG=ZL=50W

Unit

25˚C

Drain voltage

4.5

-20 to +85

dBm

˚C

Input power

25˚C

–

TC(op)

Tstg

Operation case temperature

Storage temperature

-30 to +90

˚C

Note: Each maximum ratings is guaranteed independently and duty=1/3 operation. T=20 msec

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25˚C)

Limits

Symbol

Parameter

Test conditions

Unit

Min

925

–

Typ

–

Max

958

MHz

Frequency

Input power

640

–

IDt

dBm

Po=30.5dBm

VD1=VD2=3.5V

VG1,2=-2.5V

ZG=ZL=50W

(p/4DQPSK)

–

720

-6

Total drain current

Return loss

r in

–

dBc

±50kHz adjacent channel power

±100kHz adjacent channel power

2nd harmonics

-47

-62

-30

ACP50

ACP100

2fo

–

dBc

–

Ditto

(CW)

3rd harmonics

–

3fo

Nov. ´97

12 3 4

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