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F8006N

更新时间: 2024-11-19 22:31:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 202K
描述
N-channel, Dual 20V/5A

F8006N 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.82Is Samacsys:N
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.048 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

F8006N 数据手册

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