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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> F8006N
F8006N PDF预览

F8006N

更新时间： 2024-09-17 22:31:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 202K
描述
N-channel, Dual 20V/5A

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F8006N 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

F8006N 数据手册

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