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F7F60C3M

更新时间: 2024-09-18 10:34:59
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新电元 - SHINDENGEN /
页数 文件大小 规格书
2页 156K
描述
Power MOSFET

F7F60C3M 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (ID):7 A
最大漏源导通电阻:0.6 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):21 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

F7F60C3M 数据手册

 浏览型号F7F60C3M的Datasheet PDF文件第2页 
PowerMOSFET  
■外観図 OUTLINE  
Unitmm  
PackageFTO-220A  
F7F60C3M  
10  
4.5  
例)  
600V7A  
Date code  
管理番例)  
Control No.  
特 長  
低オン抵抗  
高速スイッチング  
絶縁タイプ  
0000  
7F60C3M  
品名略号  
Type No.  
Feature  
LowRON  
FastSwitching  
IsolatedPackage  
:
① G  
:
D
:
① ② ③ ③ S  
外形図については新電元Webイトをご参照下さい印表示については捺  
印仕様をご確認下さい。  
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe  
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".  
■定格表 RATINGS  
指定のない場合  
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(  
Tc25)  
記号  
規格値  
単位  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
保存温度  
Tstg  
Tch  
55150  
150  
600  
±30  
7
StorageTemperature  
チャネル温度  
ChannelTemperature  
ドレイース間電圧  
V
DSS  
Drain-SourceVoltage  
V
ゲーース間電圧  
V
GSS  
Drain-SourceVoltage  
ドレイン電直流)  
I
D
ContinuousDrainCurrent(DC)  
ドレイン電ピーク)  
パルス10μs,duty=1/100  
I
DP  
21  
ContinuousDrainCurrent(Peak)  
Pulsewidth10µs,duty=1/100  
A
ソース電直流)  
I
S
7
ContinuousSourceCurrent(DC)  
全損失  
P
T
30  
W
TotalPowerDissipation  
絶縁耐圧  
一括端ース間AC1分間印加  
Vdis  
2
kV  
DielectricStrength  
Terminalstocase,AC1minute  
締め付けトルク  
(推奨0.3Nm)  
TOR  
0.5  
Nm  
MountingTorque  
(Recommendedtorque:0.3Nm)  
指定のない場合  
●電気的特性 ElectricalCharacteristics(  
Tc25)  
規格値 Ratings  
記号  
Symbol  
単位  
Item  
Conditions  
Unit  
MIN TYP MAX  
ドレイース間降伏電圧  
V
I1mA,V 0V  
D GS  
600  
25  
V
BRDSS  
Drain-SourceBreakdownVoltage  
ドレイン遮断電流  
I
V =600V,V 0V  
DS GS  
DSS  
ZeroGateVoltageDrainCurrent  
μA  
ゲート漏れ電流  
I
V ±30V,V 0V  
GS DS  
±0.1  
GSS  
Gate-SourceLeakageCurrent  
順伝達コンダクタンス  
gfs I3.5A,V 10V  
D DS  
3
6
S
Ω
ForwardTransconductance  
ドレイース間オン抵抗  
R
DSON  
I3.5A,V 10V  
D GS  
0.54 0.60  
StaticDrain-SourceOn-stateResistance  
ゲートしきい値電圧  
V
I0.35mA,V 10V  
D DS  
2.1  
3.0  
3.9  
1.5  
4.16 /W  
nC  
TH  
GateThressholdVoltage  
V
ソーレイン間ダイオード順電圧  
V
SD  
I3.5A,V 0V  
S GS  
Source-DrainDiodeForwadeVoltage  
熱抵抗  
接合ース間  
Junctiontocase  
θjc  
ThermalResistance  
ゲート全電荷量  
Qg V 10V,I7A,V 400V  
GS D DD  
28  
760  
20  
250  
14  
15  
124  
18  
TotalGateCharge  
入力容量  
Ciss  
InputCapacitance  
帰還容量  
Crss V 25V,V 0V,f1MHz  
DS GS  
pF  
ReverseTransferCapacitance  
出力容量  
Coss  
tdon)  
tr  
OutputCapacitance  
ターンオン遅延時間  
Turn-ondelaytime  
上昇時間  
I3.5A,V 150V,R 42.8Ω  
D DD L  
Risetime  
ns  
ターンオフ遅延時間  
V
10V,V  
0V  
GS+)  
GS-)  
tdoff)  
tf  
Turn-offdelaytime  
下降時間  
Falltime  
MOSFET2010.06)  
www.shindengen.co.jp/product/semi/  

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