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F5062H

更新时间： 2024-01-15 17:32:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 驱动光电二极管接口集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 1889K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, PDSO12, PLASTIC, SOP-12

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F5062H 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：HSSOP,针数：12
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.74
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G12长度：7.5 mm
功能数量：1端子数量：12
输出电流流向：SINK封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, SHRINK PITCH座面最大高度：2.6 mm
最大供电电压：18 V最小供电电压：6 V
标称供电电压：16 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子节距：1 mm
端子位置：DUAL断开时间：1000 µs
接通时间：600 µs宽度：6.3 mm
Base Number Matches：1

F5062H 数据手册

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http://www.fujisemi.com  
FUJI High-side IPS  
F5062H  
High-side Intelligent Power Switch  
Features  
Outline drawings [mm]  
Connection  
• Low on-state resistance  
PSOP-12  
• High inductive load energy withstand capability  
• Over current detection  
• Over temperature shutdown  
• Reverse battery protection  
Applications  
• Motor driver  
• Replacements for fuse and relay  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25˚C)  
Description  
Symbol  
Characteristics  
Unit  
V
Remarks  
Supply voltage  
Vcc  
35  
DC  
-16  
V
t=2min, Iout=-18A  
Reverse supply voltage  
Maximum voltage at load short  
Output current  
-Vcc  
-12  
16  
V
DC, Iout=-18A  
Vccs  
V
0.02Ω<Rout<0.2Ω  
I lim  
A
Pulse 50ms  
I
out  
50  
A
DC  
DC  
DC  
–
Reverse output current  
Input voltage  
-Iout  
Vin  
-50  
A
-0.3~Vcc+0.3  
114  
V
Maximum power dissipation  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
P
D
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
–
Tstg  
-55~-150  
–
Tj≤150˚C, Vcc≤16V, Single pulse  
Iout=80A, dv/dt≤10V/us  
Single pulse inductive load switch-off energy dissipation  
ECL  
800  
mJ  
Electrical characteristics (at Tc=-40~150˚C, unless otherwise specified.)  
Description  
Symbol  
Conditions  
min.  
typ.  
–
max.  
18  
Unit  
V
Operating voltage  
Standby current 1  
Standby current 2  
Operating current  
Vcc  
TC=-40~150˚C  
Vusd  
I
I
I
cc(off) 1  
cc(off) 2  
cc(on)  
V
V
V
V
V
V
V
V
cc=18V, Vin=Vcc, RL=10Ω, Tc=-40~110˚C  
cc=18V, Vin=Vcc, RL=10Ω, Tc=-110~150˚C  
cc=18V, Vin=GND, RL=OPEN  
cc=6~18V, RL=10Ω  
–
–
50  
70  
μA  
ꢀA  
mA  
V
–
–
–
–
–
10  
VinIL  
–
0.4Vcc  
–
Input voltage  
VinIH  
VinHYST  
IinIL  
cc=6~18V, RL=10Ω  
0.6Vcc  
0.05Vcc  
-80  
-80  
–
–
V
Input hysteresis voltage  
Input current  
cc=6~18V  
–
–
V
cc=18V, 0V≤Vin≤7.2V  
–
-10  
-10  
8
μA  
μA  
IinIH  
cc=18V, Vin=10.8V  
–
8V≤Vcc≤18V, Iout=40A, Tc=25˚C, Vin=GND  
8V≤Vcc≤18V, Iout=40A, Tc=150˚C, Vin=GND  
6V≤Vcc<8V, RL=0.2Ω, Tc=25˚C, Vin=GND  
6V≤Vcc<8V, RL=0.2Ω, Tc=150˚C, Vin=GND  
6
–
11  
6.5  
12  
–
14.5  
12  
On-state resistance  
R
DS(on)  
mΩ  
–
–
22  
0.6  
1.0  
0.6  
0.6  
–
Turn-on time  
td(on)  
td(off)  
tr  
Vcc=16V, RL=0.25Ω, Vin=Vcc→GND  
Vcc=16V, RL=0.25Ω, Vin=GND→Vcc  
Vcc=16V, RL=0.25Ω, Vin=Vcc→GND  
Vcc=16V, RL=0.25Ω, Vin=GND→Vcc  
Vcc=6→2.5V, RL=10Ω, Vin=GND  
Vcc=2.5→6V, RL=10Ω, Vin=GND  
Vcc=6~18V, Vin=GND  
0.15  
–
ms  
ms  
ms  
ms  
V
Turn-off time  
–
Rise time  
–
–
Fall time  
tf  
–
–
Under voltage detection  
Under voltage recovery  
Overheating detection temperature  
Recovery temperature  
Hysteresis temperature  
Over-current detection  
Output-clamp voltage  
Vusd  
VusdR  
Ttsd  
2.5  
-
–
–
6.0  
205  
–
V
155  
150  
5
–
˚C  
˚C  
˚C  
A
Ttr  
–
Thyst  
Ilim  
10  
–
–
Vcc=8~16V, Vin=GND,Tc=-40~130˚C  
96  
–
Vclamp(L)  
Vcc=16V, L=10mH/10Ω, Vin GND  
Vcc, Tc=150˚C  
-5.9  
–
-4.2  
V
＝
→
Thermal characteristics  
Description  
Symbol  
Test conditions  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
˚C/W  
Thermal resistance  
Rth(j-c)  
Junction - case  
–
–
1.1  
1
123456

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