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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JEDEC-95代码： | DO-5 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 600 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 190 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 37 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 500 V |
| 最大反向电流： | 2000 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| F4H3C | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
|
| F4H3N | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
|
| F4H3ND | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
|
| F4H3P | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
|
| F4H3PD | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO |
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| F4K3 | EDAL |
获取价格 |
Silicon Power Rectifiers |
|
| F4M-10 | APITECH |
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Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, PACKAGE |
|
| F4M1-10 | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, |
|
| F4M3 | EDAL |
获取价格 |
Silicon Power Rectifiers |
|
| F4M-40 | APITECH |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, PACKAGE |
|
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