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F49B002UA-90N PDF预览

F49B002UA-90N

更新时间： 2024-11-24 19:51:23
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
33页 333K
描述
Flash, 256KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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F49B002UA-90N 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：QCCJ, LDCC32,.5X.6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最长访问时间：90 ns启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PQCC-J32长度：13.97 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,1端子数量：32
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装等效代码：LDCC32,.5X.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.55 mm
部门规模：16K,8K,96K,128K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：11.43 mm
Base Number Matches：1

F49B002UA-90N 数据手册

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EFST  
F49B002UA  
2 Mbit (128K x 8)  
5V Only CMOS Flash Memory  
1. FEATURES  
z
Single supply voltage 5V ± 10%  
z
End of program or erase detection  
- Data polling  
z
z
Fast access time: 70/90 ns  
- Toggle bits  
Compatible with JEDEC standard  
- Pin-out, packages and software commands  
compatible with single-power supply Flash  
Low power consumption  
z
z
Boot Sector Architecture  
- U = Upper Boot Sector  
Packages available:  
- 32-pin PDIP  
z
- 25mA maximum active current  
- 25uA typical standby current  
10,000 minimum program/erase cycles  
Command register architecture  
- Byte programming (10us typical)  
- Sector Erase( sector structure: 16KB, 8KB, 8KB,  
96KB, 128KB )  
- 32-pin PLCC  
z
z
z
Auto Erase (chip & sector) and Auto Program  
- Sector erase and Chip erase.  
- Automatically program and verify data at specified  
address  
2. ORDERING INFORMATION  
Part No  
Boot  
Speed  
Package  
Part No  
Boot  
Speed  
Package  
F49B002UA-70D  
F49B002UA-70N  
Upper  
Upper  
70 ns  
70 ns  
PDIP  
PLCC  
F49B002UA-90D  
F49B002UA-90N  
Upper  
Upper  
90 ns  
90 ns  
PDIP  
PLCC  
3. GENERAL DESCRIPTION  
The F49B002UA is a 2 Megabit, 5V only CMOS Flash  
memory device organized as 128K bytes of 8 bits. This  
device is packaged in standard 32-pin PDIP and 32-pin  
PLCC. It is designed to be programmed and erased both in  
system and can in standard EPROM programmers.  
The F49B002UA features a sector erase architecture.  
The device memory array is divided into 16 Kbytes, 8K  
bytes, 8Kbytes, 96Kbytes, 128Kbytes. Erase capabilities  
provide the flexibility to revise the data in the device.  
A low V
CC
detector inhibits write operations on loss of  
power. End of program or erase is detected by the Data  
Polling of DQ7, or by the Toggle Bit feature on DQ6. Once  
the program or erase cycle has been successfully  
completed, the device internally resets to the Read mode.  
With access times of 70 ns and 90 ns, the F49B002UA  
allows the operation of high-speed microprocessors. The  
device has separate chip enable  
, write enable  
,
WE  
CE  
and output enable  
controls. EFST's memory devices  
OE  
reliably store memory data even after 10,000 program and  
erase cycles.  
The F49B002UA is entirely pin and command set  
compatible with the JEDEC standard for 2 Megabit Flash  
memory devices. Commands are written to the command  
register using standard microprocessor write timings.  
Elite Flash Storage Technology Inc.  
Publication Date : Jun. 2003  
Revision: 1.2  
1/33  
1234567...33

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