Datasheet > F4-150R12KS4

F4-150R12KS4

更新时间： 2024-11-21 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	518K
描述
EconoPACK? 3 1200V 四单元 IGBT 模块，采用支持高频开关的第二代快速 IGBT 和 NTC温度检测

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

F4-150R12KS4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26	针数：	26
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	180 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X26	元件数量：	4
端子数量：	26	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	960 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	390 ns
标称接通时间 (ton)：	190 ns	VCEsat-Max：	3.75 V
Base Number Matches：	1

F4-150R12KS4 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F4-150R12KS4

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 60°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

150

180

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

300

960

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 150 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,20 3,75

3,85

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 6,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

4,5

5,5

1,60

2,0

10,0

0,63

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,12

0,13

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,05

0,06

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,31

0,36

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,02

0,03

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

18,0

7,50

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,6 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

900

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

T_{vj op}

ꢀ

0,13 K/W

125 °C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与F4-150R12KS4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
F4150R12KS4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-26
F4-150R17ME4_B11	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 Diode
F4-150R17ME4_B11_17	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 Diode
F4-150R17N3P4_B58	INFINEON	获取价格	Solder pin
F4-15MR12W2M1_B76	INFINEON	获取价格	PressFIT
F415-ND	LITTELFUSE	获取价格	3AG Slo-Blo Fuse 313/315 Series
F4-16	TRIAD	获取价格	Split Bobbin Power Transformer, 6VA, ROHS COMPLIANT
F417	LITTELFUSE	获取价格	3AG Slo-Blo Fuse 313/315 Series
F4-17MR12W1M1H_B76	INFINEON	获取价格	PressFIT
F4-17MR12W1M1HP_B76	INFINEON	获取价格	TIM

与F4-150R12KS4相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

F4-150R12KS4

F4-150R12KS4 技术参数

F4-150R12KS4 数据手册

与F4-150R12KS4相关器件

与F4-150R12KS4相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

F4-150R12KS4

F4-150R12KS4 技术参数

F4-150R12KS4 数据手册

与F4-150R12KS4相关器件

与F4-150R12KS4相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？